TRANSETCH — N （氮化硅、氮化镓或氧化铝膜的选择性蚀刻剂）

独特的优点

· 使用方便

· 选择蚀刻氮化硅、氮化镓或氧化铝膜

  · 可反复使用，作用不会随使用而减少

  · 不产生毒性烟雾，不需要使用通风橱

  · 实际上消除了上蚀或下蚀现象

  · 保证硅半导体部件的平面钝化

说明

Transetch—N是用正磷酸制备的纯试剂，它可以在硅或氧化硅存在下实现氮化硅或氧化铝的选择蚀刻。使用它在膜上蚀刻的开口其分辨率和普通平面技术对SiO2所得到的分辨率相当，但同时对暴露的硅和二氧化硅表面基本上没有不良影响。使用它时，对光刻胶、工艺的要求基本上和常惯蚀刻操作过程一样，额外要求很少，而且成本不高。

Transetch—N不含氟化物。与氟化物基的蚀刻剂不同，TRANSETCH—N不造成下蚀现象，因此在选择蚀刻时间方面具有宽的安全活动余地。Transetch—N性质稳定,使用寿命长。

物理性质

化学试剂http://www.echem360.com/