铬光掩膜蚀刻剂

本品为改进的铬蚀刻剂，可用于制备高质量铬光掩膜新技术。用于在微型电子产品中去除镀在玻璃片上的铬以制出光掩膜图。

特点

·与光刻胶具有良好匹配性

·可室温操作

·可观察的蚀刻控制

·在亚微米范围清晰确定

·廉价经济

说明

Transene铬光掩膜蚀刻剂设计用于制造铬金属光掩膜的新技术中的高要求的蚀刻工艺过程。这种铬光掩膜生产成本低，当用于微型电子产品中时其性能优于乳液型光掩膜。

Transene蚀刻剂可以精密蚀刻铬。它代替通常的有害实验室蚀刻剂用于光掩膜生产工艺，具有无毒无害的优点。这种蚀刻剂可室温操作，可进行直观蚀刻控制，和阴、阳性光刻胶都有良好匹配性。能够很好记录细线条和几何图形，公差在低于微米的数量级范围。Transene铬光掩膜蚀刻剂可一般成功用于柯达（Kodak）镀铬板和玻璃镀铬板。

铬光掩膜蚀刻剂性质

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