高纯加缓冲剂的HF蚀刻剂适合用于热生长或沉积二氧化硅膜。Transene二氧化硅蚀刻剂是边下蚀低,匹配性广的理想半导体蚀刻剂。
缓冲剂-HF
对热生长二氧化硅膜有最快的蚀刻速率,同时也适合用于沉积SiO2膜。
加缓冲剂的蚀刻剂
氟化铵:HF=4:1,5:1,6:1,7:1,10:1或按客户要求调配其比例。
BD蚀刻剂
其为二氧化硅玻璃(PSG)和硼硅玻璃(BSG)的浸泡蚀刻剂。蚀刻速率随着此两种玻璃组成的变化而变化。
氧化硅蚀刻剂
化学试剂http://www.echem360.com/