独特的优点
· 使用方便
· 选择蚀刻氮化硅、氮化镓或氧化铝膜
· 可反复使用,作用不会随使用而减少
· 不产生毒性烟雾,不需要使用通风橱
· 实际上消除了上蚀或下蚀现象
· 保证硅半导体部件的平面钝化
说明
Transetch—N是用正磷酸制备的纯试剂,它可以在硅或氧化硅存在下实现氮化硅或氧化铝的选择蚀刻。使用它在膜上蚀刻的开口其分辨率和普通平面技术对SiO2所得到的分辨率相当,但同时对暴露的硅和二氧化硅表面基本上没有不良影响。使用它时,对光刻胶、工艺的要求基本上和常惯蚀刻操作过程一样,额外要求很少,而且成本不高。
Transetch—N不含氟化物。与氟化物基的蚀刻剂不同,TRANSETCH—N不造成下蚀现象,因此在选择蚀刻时间方面具有宽的安全活动余地。Transetch—N性质稳定,使用寿命长。
物理性质
化学试剂http://www.echem360.com/