凯亚达优质高纯三氧化二铟In2O35N

5N-6N 三氧化二铟(In2O3)

1，纯度：5N(99.999%)6N（99.9999%）

2，物理*质：

N型透明半导体功能

分子式：In2O3

分子量：277.6342

外观：淡黄色粉末

3，技术对接：铟阳极- 电解–真空熔炼（除去低熔点的铅，砷，镉，磷，汞，硫，硒等）

-提拉法提纯至6N的铟--电弧法加热6N的铟锭，使铟瞬间气化并与过量的高纯氧气反应，化学气相沉积而成—冷却—收尘；

4，检验：GDMS（6N:所有杂质元素总和低于1ppm），SEM（扫描电镜）；

5，粒度：-100目；

6，优势：不含任何酸根离子，如：氯离子，硫酸根离子等;

7，应用：红外光纤、气体传感器；

8，包装：瓶装：1公斤/瓶，瓶外加铝复合薄膜真空包装；

9，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施，提供材料应用的解决方案。

10.经济价值：年销售额200万元左右，主要市场为军品红外光纤。