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| N沟道增强型MOSFET TDM31066 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM31066采用先进的沟槽技术 | RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | RDS（ON）<13.5mΩ@ VGS =10V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 | 高功率和电流处理能力 |
| 应用 | 可提供无铅产品 |
| PWM应用 | TO-252封装 |
| 负载开关 | |
| 电源管理 | |
| 硬开关和高频电路 |
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公司基本资料信息
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产品详细说明
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