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| P沟道增强型MOSFET TDM3205 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3205采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<9.9mΩ@ VGS = -1.8V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 | ◆RDS（ON）<6.8mΩ@ VGS =-2.5V |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆RDS（ON）<4.5mΩ@ VGS =-4.5V |
| 应用。 | ◆RDS（ON）<3.5mΩ@ VGS =-10V |
| ◆高功率和电流处理能力 | |
| ◆表面贴装封装 | |
| ◆可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） | |
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公司基本资料信息
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产品详细说明
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