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| P沟道增强型MOSFET TDM3415 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3415采用先进的沟槽技术 | ◆-30V / -17.6A |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 这个 | ◆RDS（ON）<15mΩ@ VGS = -4.5V |
| 装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆RDS（ON）<9mΩ@ VGS =-10V |
| 应用。 | ◆可靠耐用 |
| ◆HBMESD能力水平典型值为8KV | |
| ◆可提供无铅产品 SOP-8封装 |
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公司基本资料信息
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产品详细说明
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