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| 双N沟道增强型MOSFET TDM3484 | |
| 一般描述 | 一般特征 |
| 该TDM3484采用先进的沟槽技术 | ◆RDS（ON）<18.5mΩ@ VGS = 4.5V |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 | ◆RDS（ON）<15MΩ@ VGS =10V |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM | ◆高功率和电流处理能力 |
| 应用。 | ◆可提供无铅产品 |
| ◆SOP-8封装 |
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公司基本资料信息
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产品详细说明
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