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| N通道增强型MOSFET TDM3478 |
| 描述 |
| 该TDM3478采用先进的沟槽技术 |
| 提供优异的RDS（ON）和低门电荷。 |
| 这个装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 |
| 一般特征 |
| RDS（ON）<9.7mΩ@ VGS = 4.5V |
| RDS（ON）<6MΩ@ VGS =10V |
| 高功率和电流处理能力 |
| ESD保护 |
| 表面贴装封装 |
| 可提供无铅和绿色器件（符合RoHS标准） |
| 应用 |
| PWM应用 |
| 负载开关 |
| 电源管理 |
| 动力系统 |
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公司基本资料信息
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产品详细说明
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