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JEDEC标准
DDR速度等级:333 mbps
内存组织:×8的TSOP II DRAM芯片
DDR内存接口:SSTL_25
CAS延迟:2.5- 3 - 3
带宽:2700 mb / s
VDD电压:2.5 + -0.2 v
VDDQ电压:2.5 + -0.2 v
标准OP温度:0℃~ + 70℃
PCB高度:1.18英寸
通过无铅认证
简介
DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA,FBGA),加强了电气与热感应特性。此外,DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination,ODT),以降低高速传输时的内存信号反射,进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4 G,可显著提升内存模组的容量。
此为DDR-333 CL2.5 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从256MB到1GB,由64/128MX8位FBGA封装的DDR2-800同步DRAM组成,用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中。