KSABandiT实时衬底温度测试仪

kSA BandiT实时衬底温度测试仪是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统，采用半导体材料吸收边随温度的变化，实时测量晶片/衬底的温度；并且kSA BandiT 已经成功地安装到众多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上，实现了晶片的温度实时检测。
kSA BandiT多晶片温度软件结合了自动伺服马达控制的扫描检测功能,从而实现了MBE外延薄膜生长过程中多衬底温度实时Mapping检测。
该系统在外延薄膜生长过程提供衬底/晶片实时的二维温度信息的系统。对Wafer（及薄膜）表面温度实时、非接触、非入侵的直接检测；采用温度和半导体材料对光的吸收边（谱带能量）相关原理，即材料的本征特，使得测量结果更为准确；可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上，进行实时温度检测。
kSA BandiT实时衬底温度测试仪
技术参数：
温度范围：室温1300摄氏度；
温度重复：0.2摄氏度；
温度分辨率：0.1摄氏度；
稳定：+/-0.2摄氏度；
主要特点：
*实时、非接触、非入侵、直接Wafer温度监测；
*多基片/晶片表面2D温度Mapping监测；
*真实的Wafer表面或薄膜温度监测；
*整合了新的黑体辐射监测技术；
*沉积速率和薄膜厚度分析；
*表面粗糙度分析功能；
*测量波长范围可选（例如：可见光波段、近红外波段等）
*避免了发射率变化对测量的影响；
*无需沉积设备Viewport特殊涂层；
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