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碲化镉薄膜太阳能电池的优点
理想的禁带宽度
CdTe的禁带宽度一般为1.47eV，CdTe的光谱响应和太阳光谱非常匹配。
高光吸收率
CdTe的吸收系数在可见光范围高达104cm-1以上，95%的光子可在1μm厚的吸收层内被吸收。
转换效率高
碲化镉薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约为28%。
电池性能稳定
一般的碲化镉薄膜太阳能电池的设计使用时间为20年。
电池结构简单
制造成本低，容易实现规模化生产。
碲化镉 - 系统编号
CAS号：1306-25-8
MDL号：MFCD00015998
EINECS号：215-149-9
RTECS号：EV3330000
PubChem号：24855535
碲化镉 - 毒理学数据
1、急性毒性：大鼠引入腹膜LD50：2820mg/kg：发抖，体重下降 小鼠口经LD50：>15gm/kg 小鼠引入腹膜LD50：2100mg/kg：发抖，体重下降
碲化镉 - 计算化学数据
1、 氢键供体数量：0
2、 氢键受体数量：0
3、 可旋转化学键数量：0
4、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
5、 重原子数量：2
6、 表面电荷：0
7、 复杂度：2
8、 同位素原子数量：0
9、 确定原子立构中心数量：0
10、 不确定原子立构中心数量：0
11、 确定化学键立构中心数量：0
12、 不确定化学键立构中心数量：0
13、 共价键单元数量：1
制备CdTe多晶薄膜的多种工艺和技术已经开发出来，如近空间升华、电沉积、PVD、CVD、CBD、丝网印刷、溅射、真空蒸发等。丝网印刷烧结法：由含CdTe、CdS浆料进行丝网印刷CdTe、CdS 膜，然后在600～700℃可控气氛下进行热处理1h 得大晶粒薄膜. 近空间升华法：采用玻璃作衬底，衬底温度500～600℃，沉积速率10μm/min. 真空蒸发法：将CdTe 从约700℃加热钳埚中升华，冷凝在300～400℃衬底上，典型沉积速率1nm/s. 以CdTe 吸收层，CdS 作窗口层半导体异质结电池的典型结构：减反射膜/玻璃/（SnO2:F）/CdS/P-CdTe/背电极。电池的实验室效率不断攀升，最近突16%。20世纪90年代初，CdTe电池已实现了规模化生产，但市场发展缓慢，市场份额一直徘徊在1%左右。商业化电池效率平均为8%-10%。
