点击图片查看原图
开关电源与线性电源相比，两者的成本都跟着输入功率的增加而增长，但二者增长速率各异。线性电源利润在某一输入功率点上，反而高于开关电源，这一点称为本钱反转点。跟着电力电子武艺的发展和立异，使的开关电源妙技也不断的翻新，这一老本反转点日益向低输入电力端挪动，从而为开关电源供给了恢弘的进行空间。
开关电源高频化使其进行的偏袒，高频化使开关电源小型化，并使开关电源更进入更广泛的使用规模，分外是在高新技艺规模的应用，推动了高技术制造品的小型化、简炼化。另外开关电源的发展与应用在浪费动力、撙节资源及爱护情况方面都具有必要的意义。
开关电源选择沃尔电子
开关电源功率半导体器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采纳“ 超等结”（Super-Junction）布局，故又称超结功率 MOSFET。
任务电压600V～800V，通态电阻几乎低落了一个数目级，仍保持开关速率快的共性，是一种有进行上进的高频功率半导体电子器件。
购买开关电源、适配器选择济南沃尔电子
开关电源IGBT的手艺搁浅理论上是通态压降，神速开关和高耐压伎俩三者的折衷。跟着功底和构造模式的不同，IGBT在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通（PT）型、非穿通（NPT）型、软穿通（SPT）型、沟漕型与电场遏制（FS）型。
碳化硅SiC是功率半导体器件晶片的志向材料，其益处是：禁带宽、任务温度高（可达600℃）、热强项性好、通态电阻小、导热性能好、泄电流极小、 PN结耐压高等，无利于制作出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。
购买开关电源、适配器选择济南沃尔电子
