通常高功率因数AC/DC开关电源,由两级拓扑组成,对付小功率AC/DC开关电源来讲,采取两级拓扑布局总体屈就低、利润高。
假设对输入端功率因数申请不特别高时,将PFC变换器与后级DC/DC变换器组合成一个拓扑,组成单级高功率因数AC/DC开关电源,只用一个主开关管,可以使功率因数校对到0.8以上,并使输入直流电压可调,这类拓扑组织喻为单管单级即S4PFC变换器。
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开关电源以后世的逆变武艺为外围,主控制零碎采用独有的多环控技术,担保出产品的可靠性与高精度管束性能,严厉的质量管控,完竣的眷注功能,单方面晋升出产品坚定性。
采纳纳米基材料的主高频变压器,以出口大功率绝缘栅双极型晶体管“IGBT”模块为主功率器件,优质选材,确保质量。
后代散热设计理念,多种散热门径互补,确保打造品的高效坚强。
一切字化设计,管教更精准。赞成总线控制,可组建地方管束电源体系便于筹划、前进听命。
模块开关电源设计,通过设计N+1冗余电源系统完成容量扩张,提高电源系统的靠得住性可用性,缩短维修护卫时间,使企业发生发火更大的效益。
保护功能完整绝.对:具出缺相、过压、欠压、短路、过流、过热、(缺水)等回护,全方位包庇配备。
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开关电源功率半导体器件性能
1998年,Infineon公司推出冷mos管,它采纳“ 超等结”(Super-Junction)布局,故又称超结功率 MOSFET。
任务电压600V~800V,通态电阻几乎低落了一个数目级,仍保持开关速率快的共性,是一种有进行上进的高频功率半导体电子器件。
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