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开关电源功率半导体器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采纳“ 超等结”（Super-Junction）布局，故又称超结功率 MOSFET。
任务电压600V～800V，通态电阻几乎低落了一个数目级，仍保持开关速率快的共性，是一种有进行上进的高频功率半导体电子器件。
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高频开关电源的电磁兼容EMC题目有其非凡性。功率半导体开关管在开关过程当中发生发火的di/dt和dv /dt，惹起壮大的传导电磁滋扰谐与波侵陵。
有些情况还会引起强电磁场（通常是近场）辐射。不单很有问题感染周围电磁环境，对左近的电气配备造成电磁滋扰，还大约危及附近垄断人员的安全。
同时，电力电子电路（如开关变换器）内部的控制电路也必须能承受开关步履发生的EMI及运用现场电磁噪声的干扰。
上述特殊性，再加上EMI丈量上的详细难题，在电力电子的电磁兼容规模里，具有着许多交*科学的前沿课题有待人们钻研。外洋外许多大学均开展了电力电子电路的电磁干扰与电磁兼容性题目的研讨，并取患了不少可喜功效。近几年研究功效表明，开关变换器中的电磁杂音源，首要来自主开关器件的开关作用所发生发火的电压、电流转变。变更速率越快，电磁乐音越大。
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反激式开关电源的甜头是电路对照简单，体积比较小，反激式开关电源输入电压受占空比的调制蟠曲，相对付正激式开关电源来要高得多
反激式开关电源的益处是电路比较容易，比正激式开关电源少用了一个大的储能滤波电感，以及一个续流二极管，反激式开关电源的体积要比正激式开关 电源的体积小，且老本也要低。
其他，反激式开关电源输入电压受占空比的调制弯曲勉强，相对于于正激式开关电源来要高很多，因此，反激式开关电源恳求调控占空比的 过失信号迂回要相比低，过错旌旗灯号放大器的增益与动态规模也要较小。因为这些利益，目前，反激式开关电源在家电范围中照旧被遍及的使用。
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