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开关电源功率半导体器件性能
1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采纳“ 超等结”（Super-Junction）布局，故又称超结功率 MOSFET。
任务电压600V～800V，通态电阻几乎低落了一个数目级，仍保持开关速率快的共性，是一种有进行上进的高频功率半导体电子器件。
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在开关电源的产品设计中尤为重要的是开关管及所有功率器件的功率裕量和反向耐压,开关变压器匝比和漏感。所以在设计的时候要特别注意这个方面。
1、从器件方面来说，对于在自己设计中出现的难度来说，首先第.一点是器件的问题，功率大了之后为选择器件带来很大.麻烦，一般的器件不可能在这样一个功率条件下工作。所以要选择一个大功率的器件，并且能够长期稳定的进行工作。
2、难度在指标问题，开关电源要达到产品层次，必须符合国家标准，比如输出电压、输出功率等数据方面的问题，要做到产品的稳定运行并不太好做。
相对较难的是输出功率（带负载的能力），有些电源在空载时可能输出参数都很好看，但挂上比较重的负载后，指标全烂了。还有就是EMC/EMI设计，电源的辐射相对较大，国家在这方面有很严格的技术指标，大功率情况下要做好难度也挺大。
3、电路设计的问题，由于功率大，电路设计特别是PCB设计时还需要考虑。电流大了，需要考虑线路、散热等方面的问题。
散播电源机关
分布电源零碎切当于用作超高速集成电路组成的大型任务站（如图像处理站）、大型数字电子互换零碎等的电源，其利益是：
可实现 DC/DC变换器组件模块化；容易实现N+1功率冗余，易于扩增负载容量；可低落48V母线上的电流与电压降；简单做到热漫衍平匀、便于散热 设计；瞬态响应好；可在线更换起效模块等。
那时散布电源系统有两种构造类型，一是两级构造，另外一种是三级组织。
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